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  ▣  삼성전자 4Gb NAND flash Memory 양산 개시
작성자   작성일  2005 - 07 - 17

삼성전자는 70nm 공정기술을 활용한 4Gb NAND flash memory의 양산을 개시하였다.
주목할 점은 ArF광원을 사용한 Photo Lithography기술을 적용한 것이다.

삼성전자의 4Gb NAND flash memory의 양산은 다양한 mobile application의 확대로
이어져 향후 메모리시장을 선점할 수 있는 계기가 될 것으로 예상된다.

특히 ArF Photo Lithography적용은 이제부터 ArF 광원이 본격적으로 상업적으로 적용되고
있다는 점에서 의미가 크며 이에 따라 관련된 material 시장의 변화도 예상된다.

신 홍현/총괄본부장

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